三亚铪靶含量

各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，较大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造；在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。

2Mg+HfCl4─→2MgCl2+Hf
德博尔－阿克尔法即碘化法，用此法提纯海绵状铪，得到可延展的金属铪。 [1]
5.铪的冶炼，与锆基本相同：
第一步为矿石的分解，有三种方法：锆石氯化得(Zr，Hf)Cl。锆石的碱熔。锆石与NaOH在600左右熔融，有90%以上的(Zr，Hf)O转变为Na(Zr，Hf)O，其中的SiO变成NaSiO，用水溶除去。Na(Zr，Hf)O用HNO溶解后可作锆铪分离的原液，但因含有SiO胶体，给溶剂萃取分离造成困难。用KSiF烧结，水浸后得K(Zr，Hf)F溶液。溶液可以通过分步结晶分离锆铪；
第二步为锆铪分离，可用盐酸-MIBK(甲基异丁基酮)系统和HNO-TBP(磷酸三丁酯)系统的溶剂萃取分离方法。利用高压下(**20大气压)HfCl和ZrCl熔体蒸气压的差异而进行多级分馏的技术早有研究，可省去二次氯化过程，降低成本。但由于(Zr，Hf)Cl和HCl的腐蚀问题，既不易找到合适的分馏柱材质，又会使ZrCl和HfCl质量降低，增加提纯费用，70年代仍停留在中间厂试验阶段；

由于铪容易发射电子而很有用处(如用作白炽灯的灯丝)。用作X射线管的阴极，铪和钨或钼的合金用作高压放电管的电极。常用作X射线的阴极和钨丝制造工业。纯铪具有可塑性、易加工、耐高温抗腐蚀，是原子能工业重要材料。铪的热中子捕获截面大，是较理想的中子吸收体，可作原子反应堆的控制棒和保护装置。铪粉可作火箭的推进器。在电器工业上可制造X射线管的阴极。铪的合金可作火箭喷嘴和滑翔式重返大气层的*行器的*保护层，Hf-Ta合金可制造工具钢及电阻材料。在耐热合金中铪用作添加元素，例如钨、钼、钽的合金中有的添加铪。HfC由于硬度和熔点高，可作硬质合金添加剂。4TaCHfC的熔点约为4215℃，为已知的熔点较高的化合物。铪可作为很多充气系统的吸气剂。铪吸气剂可除去系统中存在的氧、氮等不需要气体。铪常作为液压油的一种添加剂，防止在高危作业时候液压油的挥发，具有很强的抗挥发性，这个特性的话，所以一般用于工业液压油。医学液压油。
第三步为HfO的二次氯化以制得还原用粗HfCl；
第四步为HfCl的提纯和加镁还原。该过程与ZrCl的提纯和还原相同，所得半成品为粗海绵铪；
第五步为真空蒸馏粗海绵铪，以除去MgCl和回收多余的金属镁，所得成品为海绵金属铪。如还原剂不用镁而用钠，则第五步改为水浸